三菱igbt模塊的性能特性

日期：2025-06-24 17:52

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摘要：三菱igbt模塊采用新的CSTBTTM硅片技術:低飽和壓降Vce(sat), 低開關損耗Esw(on), Esw(off)。高短路耐受能力。 ΔT(j-f)性能優于歐洲的同類溝槽型IGBT模塊采用歐式熱阻定義Rth(j-c)和Rth(c-f)，通過采用氮化鋁AlN絕緣層實現優良的熱阻特性成本優化的封裝，低阻抗封裝(A系列1單元除外) 飽和壓降低、短路承受能力強、驅動功率小比同等級其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%，在相同輸出電流時ΔT(j-f)低15% 內置導熱性能優異的氮化鋁(AlN...

三菱igbt模塊采用新的CSTBTTM硅片技術:低飽和壓降Vce(sat), 低開關損耗Esw(on), Esw(off)。高短路耐受能力。

ΔT(j-f)性能優于歐洲的同類溝槽型IGBT模塊

采用歐式熱阻定義Rth(j-c)和Rth(c-f)，通過采用氮化鋁AlN絕緣層實現優良的熱阻特性

成本優化的封裝，低阻抗封裝(A系列1單元除外)

飽和壓降低、短路承受能力強、驅動功率小

比同等級其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%，在相同輸出電流時ΔT(j-f)低15%

內置導熱性能優異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，通過調整底板與氮化鋁絕緣層之間的焊接層厚度來改善溫度循環能力Δ Tc (焊接層疲勞)，熱阻小

模塊內部寄生電感小，減小柵極電容:柵極驅動功率近似于平面型IGBTs

功率循環能力顯著改善，采用新的導線焊接工藝大大提高功率循環能力ΔTj (導線連接疲勞)。

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